你知道三极管晶体管的电路设计吗?有什么特点?

时间:2023-01-29

什么是三极晶体管电路设计?晶体管的设计应注意设计的特点,并根据电路设计的原理和理论知识进行设计。

晶体管的总电路有很多方法,但是必须根据电路设计的理论知识进行。

因此,对于那些专业从事电路设计的人来说,他们必须学习专业知识,这将对他们的未来工作和生活有极大的帮助。

让我们仔细看看三极管晶体管电路设计的特性和特性。

三极管晶体管电路设计(共发射极)的输出特性曲线。

三极管由半导体的三个部分组成,形成两个PN结,其组成形式为PNP型和NPN型。

我国生产的大多数锗晶体管为PNP型,大多数硅晶体管为NPN型,其结构原理相同。

三极管具有三个区域和三个电极。

其中,基极区(三极管中间的半导体薄层)通向基极b;两侧都有通向发射极e的发射极区和通向集电极c的集电极区。

发射区与基极区之间的PN结称为发射结,集电极区与基极区之间的PN结称为集电极结。

在电路符号上,PNP管发射极箭头指向内,而NPN管发射极箭头指向外侧,表示电流方向。

当基极电流Ib恒定时,晶体管的Ic与Uce之间的关系曲线称为输出特性曲线。

曲线以Ic(mA)为纵坐标,Uce(V)为横坐标。

曲线图上的点表示晶体管工作时的Ib,Uce和Ic之间的关系,这决定了晶体管的工作状态。

从曲线可以看出,晶体管的工作状态可以分为三个区域。

饱和区:Uce小而Ic大。

集电极和发射极饱和并导通,就好像它们已短路一样。

此时的Uce称为饱和压降。

此时,晶体管的发射极结和集电极结都处于正向偏置。

放大区域:该区域中Ib的微小变化会引起Ic的较大变化,晶体管在该区域中起作用以产生放大效果。

在此区域,Ic几乎不受Uce的控制,曲线相对较直。

此时,管的发射极结处于正向偏置,而集电极结处于反向向偏置。

截止面积:Ib = 0,Ic非常小,集电极和发射极似乎是开路的(称为截止),并且管的发射极和集电极的接点都处于反向偏置状态。

现在,每个人都对三极晶体管电路设计的特性和特性有了基本的了解。

电路的设计应科学设计。

以上是对三极管晶体管电路设计的分析,希望对大家有所帮助。