您知道功率开关MOSFET的栅极驱动器吗?

时间:2023-01-29

可伸缩栅极功率开关MOSFET的栅极驱动器?它有什么作用?本文将讨论与功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,这在“ PGATE”图中显示。

下图中高端和低端开关的一部分。

栅极电荷损耗在此示例中,栅极电荷损耗是由外部MOSFET的Qg(总栅极电荷)引起的损耗。

切换MOSFET时,功率IC的栅极驱动器会给MOSFET的寄生电容充电(将电荷注入栅极)并产生此损耗(请参见下图)。

这不仅是开关电源,还是使用MOSFET作为电源开关的应用中的常见讨论问题。

损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率。

请参考用于Qg的MOSFET的技术规格。

驱动电压或实际测量值,或参考IC技术规格。

从该公式可以看出,只要Qg相同,开关频率越高,损耗越大。

从提供MOSFET所需的VGS的角度来看,驱动器电压不会随电路或IC的变化而变化很大。

MOSFET的选择和开关频率取决于电路设计,因此这是一个非常重要的讨论项目。

为了确保与其他部分的一致性,此处给出了开关的波形,但未指出栅极电荷损耗。

要点:・栅极电荷损耗是由MOSFET的Qg(总栅极电荷)引起的损耗。

・如果MOSFET的Qg相同,则损耗主要取决于开关频率。

以上是对功率开关MOSFET栅极驱动的分析,希望对大家有所帮助。