金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

• 中文名

• 金属-氧化层 半导体场效晶体管

• 外文名

• Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

• 核    心

• 金属—氧化层—半导体电容

• 发明时间

• 1960年

• 发明人

• D. Kahng和 Martin Atalla

• 发明机构

• 贝尔实验室（Bell Lab.）