您对晶体管了解多少?您知道所有这5种类型的晶体管吗?

时间:2022-05-23

在以下内容中,编辑人员将着重介绍和详细介绍晶体管的相关内容,并将主要向您介绍5种不同类型的晶体管。

我希望本文可以帮助您增进对晶体管的了解。

让我们来看看编辑器。

1.功率晶体管GTR是具有自关断功能的电流控制双极,双结,高功率,高背压功率电子设备。

它生产于1970年代,其额定值已达到1800V / 800A / 2kHz,1400v / 600A / 5kHz,600V / 3A / 100kHz。

它不仅具有晶体管饱和电压降低,切换时间短和安全工作区域宽的固有特性,而且还具有更大的功率容量。

因此,由它构成的电路灵活,成熟,开关损耗低,开关时间短。

它广泛用于中容量和中频电路,例如电机控制和通用变频器。

GTR的缺点是驱动电流大,耐浪涌电流能力差以及易遭受二次击穿和损坏。

在开关电源和UPS中,GTR逐渐被功率MOSFET和IGBT取代。

2.绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合全控电压驱动器,具有以下优点: MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降。

GTR的饱和电压降低,载流密度高,但驱动电流大; MOSFET驱动功率小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

IGBT结合了上述两种器件的优点,具有低驱动功率和降低的饱和电压。

非常适合用于直流电压为600V及以上的转换器系统,例如交流电动机,变频器,开关电源,照明电路,牵引驱动器和其他领域。

3.光电晶体管光电晶体管是由三端器件(例如双极型晶体管或场效应晶体管)组成的光电器件。

光在这种设备的有源区域中被吸收以产生光生载流子,该载流子通过内部电放大机制产生光电流增益。

光电晶体管具有三个端子,因此很容易实现电气控制或电气同步。

用于光电晶体管的材料通常是砷化镓(GaAs),主要分为双极型光电晶体管,场效应光电晶体管和相关器件。

双极型光电晶体管通常具有较高的增益,但并不太快。

对于GaAs-GaAlAs,放大系数可以大于1000,并且响应时间大于纳秒。

它通常用于光电探测器,也可以用于光学放大。

场效应光电晶体管具有较快的响应速度(约50皮秒),但缺点是感光面积小且增益小(放大倍数可大于10),因此经常被用作极端的晶体管。

高速光电探测器。

4.磁敏晶体管磁敏晶体管,又称磁敏晶体管或三极管,是1970年代开发的新型半导体磁电转换器件,主要用于磁检测,非接触式开关和接近开关。

喷砂在锗磁敏晶体管的发射极侧损坏了晶格层,并且设置了具有高载流子复合率的高复合区r,而未在硅磁致发光中设置高复合区。

敏感晶体管。

锗磁敏晶体管具有板条状结构,集电极区和发射极区分别布置在板条的两侧,而基极布置在另一侧。

硅磁敏晶体管具有平面结构,并且所有基极都布置在硅晶片的表面上。

磁敏晶体管的主要特征之一是基极区W的宽度大于载流扩散长度,因此其公共发射极电流放大系数小于1,并且没有电流增益能力。

另外,发射极-基极区-基极是NPP型或P NN型的长二极管,即,NPP型或PNN型磁阻二极管。

因此,磁敏晶体管是基于磁敏二极管设计的长基极晶体管。

5.双极型晶体管由两个背对背的PN晶体管组成,以获得电压,电流或信号增益。

它起源于1948年发明的点接触晶体管,